半导体发光元件

摘要

一半导体发光元件包含一基板，一第一局限层位于基板之上，一活性区位于第一局限层之上，及一第二局限层位于活性区之上。其中活性区包含一掺杂杂质之第一型障壁层及一未掺杂杂质之第二型障壁层，且第一型障壁层较第二型障壁层更接近第一局限层。