发明名称 |
埋藏位元线及其制造方法 |
摘要 |
本发明提供一种埋藏位元线及其制造方法,上述埋藏位元线设置于一基板的一沟槽中,包括一扩散区,形成于邻接上述沟槽的部分上述基板中;一遮蔽层,形成于上述沟槽的部分侧壁上;一导电物,形成于上述沟槽中,且覆盖上述扩散区和上述遮蔽层的侧壁。 |
申请公布号 |
TWI402972 |
申请公布日期 |
2013.07.21 |
申请号 |
TW098137532 |
申请日期 |
2009.11.05 |
申请人 |
台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 |
发明人 |
戎乐天;林永昌 |
分类号 |
H01L27/108;H01L21/8242 |
主分类号 |
H01L27/108 |
代理机构 |
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代理人 |
洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼 |
主权项 |
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地址 |
新竹市科学园区笃行一路8号 |