发明名称 埋藏位元线及其制造方法
摘要 本发明提供一种埋藏位元线及其制造方法,上述埋藏位元线设置于一基板的一沟槽中,包括一扩散区,形成于邻接上述沟槽的部分上述基板中;一遮蔽层,形成于上述沟槽的部分侧壁上;一导电物,形成于上述沟槽中,且覆盖上述扩散区和上述遮蔽层的侧壁。
申请公布号 TWI402972 申请公布日期 2013.07.21
申请号 TW098137532 申请日期 2009.11.05
申请人 台湾创新记忆体股份有限公司 新竹市科学园区笃行一路8号 发明人 戎乐天;林永昌
分类号 H01L27/108;H01L21/8242 主分类号 H01L27/108
代理机构 代理人 洪澄文 台北市南港区三重路19之6号2楼;颜锦顺 台北市南港区三重路19之6号2楼
主权项
地址 新竹市科学园区笃行一路8号