发明名称 |
光阻用聚合物、光阻组成物及图案制造方法与光阻用聚合物用原料化合物 |
摘要 |
本发明提供一种光阻用聚合物,其用于深紫外线(DUV)准分子雷射微影时线边粗糙度小且缺陷产生少。此光阻用聚合物含有下述式(1)或式(2)所示的酸分解性单元作为结构单元。;(n表示2~24的整数;n=2时,J表示单键或取代基及/或含杂原子亦可的2价烃基;n≧3时,J表示取代基及/或含杂原子亦可的n价烃基;E表示聚合终止剂或链转移剂或聚合起始剂的残基;K1及K2各自分别表示亚烷基、环亚烷基、氧亚烷基、亚芳基、2价的噻唑咻环、2价的恶唑咻环以及2价的咪唑咻环所组成之族群中的至少一种;L1及L2各自分别表示-C(O)O-、-C(O)-以及-OC(O)-所组成之族群中至少一种;M1、M2、M3各自分别表示亚烷基、环亚烷基、氧亚烷基、亚芳基所组成之族群中的至少一种;Y、Y1、Y2各自分别表示酸分解性键;再者,k1、k2、l1、l2、m1、m2以及m3为0或1;再者,R1表示H或甲基)。 |
申请公布号 |
TWI402276 |
申请公布日期 |
2013.07.21 |
申请号 |
TW094106913 |
申请日期 |
2005.03.08 |
申请人 |
三菱丽阳股份有限公司 日本 |
发明人 |
百濑阳;大竹敦;中村雅;上田昭史 |
分类号 |
C08F20/10;G03F7/039;H01L21/027 |
主分类号 |
C08F20/10 |
代理机构 |
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代理人 |
詹铭文 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1;萧锡清 台北市中正区罗斯福路2段100号7楼之1 |
主权项 |
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地址 |
日本 |