| 摘要 |
1. Антенна терагерцового частотного диапазона, содержащая:полупроводниковую пленку (3), имеющую поверхность, приспособленную для проявления поверхностных плазмонов в терагерцовом частотном диапазоне,при этом поверхность полупроводниковой пленки (3) структурируется для образования конструкции антенны (4), выполненной с возможностью поддержки локализованных поверхностных плазменных резонансов в терагерцовом частотном диапазоне, при этом полупроводниковая пленка (3) предоставляется на пьезоэлектрическом материале (10).2. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.1, в которой конструкция антенны (4) содержит по меньшей мере два элемента (4а, 4b), структурированные в или на поверхности полупроводниковой пленки (3) и разнесенные друг от друга в направлении параллельно поверхности полупроводниковой пленки на зазор (g).3. Антенна терагерцового частотного диапазона по п.2, в которой зазор (g) имеет ширину (Δ) в диапазоне между 10 нм и 10 мкм, предпочтительно между 50 нм и 200 нм.4. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из предшествующих пунктов, в которой конструкция антенны (4) состоит из такого же материала, как и полупроводниковая пленка (3).5. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, отличающаяся тем, что функционализированная поверхность, приспособленная для присоединения заранее установленных молекул, предоставляется в области около конструкции антенны (4) и/или область около зазора (g).6. Антенна терагерцового частотного диапазона по любому из пп.1-3, в которой полупроводниковая пленка (3) имеет толщину в диапазоне между 0,5 мкм и 300 мкм, предпочтительно между 0,5 мкм и 100 мкм.7. Антенна тераге� |
