| 摘要 |
Die Erfindung betrifft eine polarisationsbeeinflussende optische Anordnung, insbesondere in einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage, mit einem ersten Verzögerungselement (110, 310, 410), welches wenigstens ein erstes Teilelement (111, 311, 411) aus optisch positiv einachsigem Kristallmaterial und wenigstens ein zweites Teilelement (112, 312, 412) aus optisch negativ einachsigem Kristallmaterial aufweist, und einem zweiten Verzögerungselement (120, 320, 420), welches wenigstens ein drittes Teilelement (121, 321, 421) aus optisch positiv einachsigem Kristallmaterial und wenigstens ein viertes Teilelement (122, 322, 422) aus optisch negativ einachsigem Kristallmaterial aufweist, wobei in wenigstens einer Konfiguration der polarisationsbeeinflussenden optischen Anordnung (100, 300, 400) die polarisationsbeeinflussende Wirkung des ersten Verzögerungselementes (110, 310, 410) der Wirkung einer ersten Lambda/2-Platte mit einer ersten schnellen Achse der Doppelbrechung und die polarisationsbeeinflussende Wirkung des zweiten Verzögerungselementes (120, 320, 420) der Wirkung einer zweiten Lambda/2-Platte mit einer zweiten schnellen Achse der Doppelbrechung entspricht, wobei der Winkel zwischen der ersten schnellen Achse und der zweiten schnellen Achse 45° ± 5° beträgt. |
