发明名称 |
Verfahren und Struktur zur Verbesserung der Leitfähigkeit enger kupfergefüllter Durchkontaktierungen |
摘要 |
Es werden Techniken zur Verbesserung der Leitfähigkeit von mit Kupfer (Cu) gefüllten Durchkontaktierungen bereitgestellt. In einem Aspekt wird ein Verfahren zur Fertigung einer Cu-gefüllten Durchkontaktierung bereitgestellt. Das Verfahren schließt die folgenden Schritte ein. Eine Durchkontaktierung wird in ein Dielektrikum geätzt. Die Durchkontaktierung wird mit einer Diffusionsbarriere ausgekleidet. Eine dünne Ruthenium(Ru)-Schicht wird konform auf der Diffusionsbarriere abgeschieden. Eine dünne Cu-Keimschicht wird auf der Ru-Schicht abgeschieden. Ein erstes Glühen wird durchgeführt, um eine Korngröße der Cu-Keimschicht zu erhöhen. Die Durchkontaktierung wird mit zusätzlichem Cu gefüllt. Ein zweites Glühen wird durchgeführt, um die Korngröße des zusätzlichen Cu zu erhöhen. |
申请公布号 |
DE112011101750(T5) |
申请公布日期 |
2013.07.18 |
申请号 |
DE201111101750T |
申请日期 |
2011.07.13 |
申请人 |
INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION |
发明人 |
MCFEELY, FENTON READ;YANG, CHIH-CHAO |
分类号 |
H01L23/532;H01L21/768 |
主分类号 |
H01L23/532 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|