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Es wird ein Phasensteuerungsthyristor mit einem neuen Design vorgeschlagen, des eine Hauptgatestruktur (306) und mehrere lokale Emitterkurzschlusspunkte (304) umfasst, die in einem Kurzschlussmuster auf einer Kathodenseite des Thyristors angeordnet sind. Dabei umfasst die Hauptgatestruktur (306) longitudinale, bevorzugt verjüngte Hauptgatebalken (316), die sich von einem Mittelgebiet der Kathodenseite zu einem Umfangsgebiet erstrecken. Benachbarte Hauptgatebalken (316) sind mit einem Abstand bezüglich einer assoziierten dazwischenliegenden Mittellinie (314) angeordnet. Das Kurzschlussmuster ist in einem Gebiet (310) näher an einem Hauptgatebalken (316) homogener als in einem Gebiet (312) näher an einer assoziierten Mittellinie (314). Anpassungen, die notwendig sein können, um Kurzschlussmuster in benachbarten Segmenten der Kathodenseitenoberfläche anzupassen, werden in Gebieten (312) vorgenommen, die von den Hauptgatebalken (316) entfernt sind, so dass eine Elektronen-Loch-Plasma-Ausbreitung von dem Hauptgatebalken (316) durch keine Inhomogenität des Kurzschlusspunktmusters gestört wird. Die vorgeschlagenen Designregeln ermöglichen eine Verbesserung der Thyristorarbeitscharakteristika insbesondere für großflächige phasengesteuerte Thyristoren.
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