发明名称 |
等离子体沉积微孔分析物检测层 |
摘要 |
本发明公开了等离子体沉积的微孔分析物检测层、形成分析物检测层的方法以及包括所述等离子体沉积微孔分析物检测层的分析物传感器。分析物传感器包括基底和微孔无定形无规共价网络层。所述微孔无定形无规共价网络层包括硅、碳、氢和氧,具有0.5至10纳米范围的平均孔尺寸和0.2至2微米范围的光学厚度。 |
申请公布号 |
CN101341404B |
申请公布日期 |
2013.07.17 |
申请号 |
CN200680048343.9 |
申请日期 |
2006.12.15 |
申请人 |
3M创新有限公司 |
发明人 |
莫塞斯·M·大卫;尼尔·A·拉科;多拉·M·保卢奇;约翰·E·特伦德 |
分类号 |
G01N33/50(2006.01)I;G01N33/533(2006.01)I |
主分类号 |
G01N33/50(2006.01)I |
代理机构 |
中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 |
代理人 |
郇春艳;郭国清 |
主权项 |
一种形成分析物传感器的方法,包括:从包含有机硅烷、氧气和烃的气体混合物形成等离子体;在基底上沉积所述等离子体以形成无定形无规共价网络层;以及加热所述无定形无规共价网络层以形成光学厚度为0.1微米至2微米的微孔无定形无规共价网络层;在所述微孔无定形无规共价网络层上沉积光反射层;和将所述微孔无定形无规共价网络层暴露于分析物,以形成暴露的微孔无定形无规共价网络层,并通过所述暴露的微孔无定形无规共价网络层中的光学变化来检测所述分析物。 |
地址 |
美国明尼苏达州 |