发明名称 一种水滑石负载的不同形貌的Pd纳米晶催化剂的原位可控合成方法及其催化Heck反应的应用
摘要 本发明属于负载型纳米晶体催化剂制备技术领域,具体涉及一种水滑石负载的不同形貌的Pd纳米晶体催化剂的原位可控制备,并对其催化Heck偶联反应的活性进行研究。本发明的合成过程为:将Na2PdCl4和硝酸根插层水滑石组成的混合溶液在不同的还原剂(聚乙烯吡咯烷酮,乙二醇)和表面加帽剂(I-离子,Cl-离子,聚乙烯吡咯烷酮)的条件下通过一锅合成法,在水滑石表面原位生长出不同形貌(立方,截角八面体,三角形)、不同晶面暴露的({111},{100})的Pd纳米晶体。此外将合成的水滑石负载的不同形貌的Pd纳米晶体催化剂用于评价Heck偶联反应,研究其不同Pd暴露晶面的催化活性顺序,为进一步合理设计高效的负载型纳米晶催化剂打下基础。
申请公布号 CN103203231A 申请公布日期 2013.07.17
申请号 CN201310127837.8 申请日期 2013.04.12
申请人 北京化工大学 发明人 陆军;张强;徐景;李双德
分类号 B01J23/44(2006.01)I;C07C15/44(2006.01)I;C07C2/88(2006.01)I 主分类号 B01J23/44(2006.01)I
代理机构 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 代理人 张水俤
主权项 一种水滑石负载的立方体形貌的Pd纳米晶催化剂的原位可控合成方法,其特征在于,其具体步骤为:将硝酸根插层水滑石与Na2PdCl4、KI、分子量为10000‑70000的聚乙烯吡咯烷酮一起加入到去离子水中混合均匀,其中聚乙烯吡咯烷酮按单体计与Na2PdCl4的摩尔比为30‑50,硝酸根插层水滑石与Na2PdCl4的摩尔比为8‑12,Na2PdCl4的浓度为2‑9mol/L,KI的浓度为6‑10mol/L,然后在115‑125℃的水热条件下反应10‑20小时,得到的产物用丙酮离心1‑2次,再用体积比为1‑3的乙醇和去离子水混合溶液离心2‑4次,真空干燥,得到水滑石负载的立方体形貌的Pd纳米晶催化剂,记为Pd‑CUs/LDH,Pd纳米晶体的负载量为2‑5wt%。
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