| 发明名称 | 具有超结结构的半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有超结结构的半导体器件包括：在电流流动方向上延伸的多个第一柱(4)；和在电流流动方向上延伸的多个第二柱(5)。第一柱(4)和第二柱(5)在交替方向上交替地设置。每个第一柱(4)提供漂移层。第一柱(4)和第二柱(5)在其间具有边界，在截止状态的情况下耗尽层从该边界延展。第一柱(4)和第二柱(5)中的至少一个具有杂质剂量，该杂质剂量在交替方向上随位置变化而是不均匀的。 | ||
| 申请公布号 | CN101013724B | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN200710007374.6 | 申请日期 | 2007.01.31 |
| 申请人 | 株式会社电装 | 发明人 | 宫岛健 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L29/38(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人 | 王英 |
| 主权项 | 一种具有超结结构的半导体器件，包括：具有第一导电类型，并在电流流动方向上延伸的多个第一柱（4）；和具有第二导电类型，并在该电流流动方向上延伸的多个第二柱（5），其中所述第一柱（4）和所述第二柱（5）在垂直于该电流流动方向的交替方向上交替地设置，从而提供该超结结构，每个第一柱（4）提供漂移层，在导通状态的情况下用于使电流流过，所述第一柱（4）和所述第二柱（5）在第一柱（4）和第二柱（5）之间具有边界，在截止状态的情况下耗尽层从该边界延展，所述第一柱（4）和所述第二柱（5）中的至少一个具有杂质剂量，该杂质剂量在该交替方向上随着位置变化而是不均匀的，所述多个第一柱（4）的杂质剂量或所述多个第二柱（5）的杂质剂量被设置为两种或更多种值，所述第一柱（4）和所述第二柱（5）中的每一个内的杂质浓度相等，并且所述第一柱（4）和所述第二柱（5）的杂质剂量的平衡在该交替方向上根据位置不同而不同从而防止所有的第一柱（4）和第二柱（5）同时截止。 | ||
| 地址 | 日本爱知县 | ||