| 发明名称 | 半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及半导体二极管以及用于形成半导体二极管的方法。提供了一种半导体二极管。所述半导体二极管包括单晶硅半导体本体，所述单晶硅半导体本体包括：第一导电类型的第一半导体区，延伸至半导体本体的第一表面并具有第一最大掺杂浓度；以及第二导电类型的第二半导体区，与所述第一半导体区形成pn结。所述半导体二极管还包括：所述第一导电类型的多晶硅半导体区，具有比所述第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并在所述第一表面上邻接所述第一半导体区；第一金属化部，布置在所述多晶硅半导体区上并与所述多晶半导体区电接触；以及边缘终止结构，被布置为紧接所述第一半导体区。此外，提供了一种用于生产半导体二极管的方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103208529A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310010391.0 | 申请日期 | 2013.01.11 |
| 申请人 | 英飞凌科技股份有限公司 | 发明人 | A.毛德;H-J.舒尔策;P.森格 |
| 分类号 | H01L29/861(2006.01)I;H01L29/36(2006.01)I;H01L21/329(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/861(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人 | 马永利;李浩 |
| 主权项 | 一种半导体二极管，包括：‑ 单晶硅半导体本体，所述单晶硅半导体本体包括：第一表面；第一导电类型的第一半导体区，延伸至所述第一表面并具有第一最大掺杂浓度；以及第二导电类型的第二半导体区，与所述第一半导体区形成pn结；‑ 第一导电类型的多晶硅半导体区，具有比所述第一最大掺杂浓度更高的第二最大掺杂浓度并在所述第一表面上邻接所述第一半导体区；‑ 第一金属化部，布置在多晶半导体区上并与多晶半导体区电接触；以及‑ 边缘终止结构，紧接所述第一半导体区。 | ||
| 地址 | 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1－12号 | ||