金属栅极的形成方法

摘要

本发明提供一种金属栅极的形成方法，包括：提供基底，所述基底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于基底上的栅介质层和替代栅电极层，所述替代栅结构两侧形成有位于基底表面的侧墙；在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅电极层表面齐平；去除部分厚度的替代栅电极层形成沟槽；修正所述沟槽，使得所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；去除剩余厚度的替代栅电极层；对所述沟槽填充金属，形成金属栅电极层。本发明通过对去除替代栅电极层形成的沟槽进行修正，使所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸，避免沟槽填充形成的金属栅极产生空隙，提高金属栅极的质量，进而提高金属栅极所形成的半导体器件的可靠性。

主权项

一种金属栅极的形成方法，其特征在于，包括：提供基底，所述基底上形成有替代栅结构，所述替代栅结构包括依次位于基底上的栅介质层和替代栅电极层，所述替代栅结构两侧形成有位于基底表面的侧墙；在所述基底上形成介质层，所述介质层表面与替代栅电极层表面齐平；去除部分厚度的替代栅电极层，形成沟槽；修正所述沟槽，使得所述沟槽的顶部尺寸大于底部尺寸；去除剩余厚度的替代栅电极层；对所述沟槽填充金属，形成金属栅电极层。