| 发明名称 | 静电防护元件及芯片 | ||
| 摘要 | 本实用新型提供一种静电防护元件及芯片，该静电防护元件包括P型衬底；N掺杂区，形成于所述P型衬底上；第一N+掺杂区，形成于所述N掺杂区上；第一P+掺杂区，形成于所述N掺杂区上；第二N+掺杂区，形成于所述P衬底上，且形成于所述N掺杂区外；第二P+掺杂区，形成于所述P衬底上，且形成于所述N掺杂区外；第三N+掺杂区，形成于所述P衬底与所述N掺杂区上，且形成于所述第一P+掺杂区与所述第二N+掺杂区之间；以及栅极层，形成于所述第二N+掺杂区与所述第三N+掺杂区上。该静电防护元件的结构简单，占用的芯片面积较小。另外，该静电防护元件的电路结构能够将静电迅速导走，有效防止对其它元件造成伤害，具有静电防护能力好的优点。 | ||
| 申请公布号 | CN203071071U | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201220696421.9 | 申请日期 | 2012.12.14 |
| 申请人 | 广东风华芯电科技股份有限公司;广东风华高新科技股份有限公司 | 发明人 | 叶兆屏;胥小平;朱志牛;沓世我;张富启 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 广州华进联合专利商标代理有限公司 44224 | 代理人 | 吴平 |
| 主权项 | 一种静电防护元件，其特征在于，包括P型衬底；N掺杂区，形成于所述P型衬底上；第一N+掺杂区，形成于所述N掺杂区上；第一P+掺杂区，形成于所述N掺杂区上；第二N+掺杂区，形成于所述P衬底上，且形成于所述N掺杂区外；第二P+掺杂区，形成于所述P衬底上，且形成于所述N掺杂区外；第三N+掺杂区，形成于所述P衬底与所述N掺杂区上，且形成于所述第一P+掺杂区与所述第二N+掺杂区之间；以及栅极层，形成于所述第二N+掺杂区与所述第三N+掺杂区上。 | ||
| 地址 | 510000 广东省广州市萝岗区科学城南翔二路10号 | ||