一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法

摘要

本发明属于射频功率器件技术领域，具体涉及一种源漏非对称自对准的射频功率器件及其制备方法。本发明采用先栅工艺制备射频功率器件，利用栅极侧墙来实现栅极与源极位置的自对准，同时，由于栅极被钝化层保护，可以在栅极形成之后通过离子注入工艺来形成器件的源极与漏极，工艺过程简单，减小了产品参数的漂移，增强了射频功率器件的电学性能。

主权项

一种源漏非对称自对准的射频功率器件，包括：在衬底上依次形成的氮化镓铝缓冲层、氮化镓沟道层、氮化镓铝隔离层；在所述氮化镓铝隔离层之上形成的栅介质层；其特征在于，还包括：在所述栅介质层之上形成的栅极以及位于栅极之上的钝化层；在所述栅极的两侧形成的栅极侧墙；在所述氮化镓铝隔离层内，所述栅极的两侧形成的漏极和源极；介于所述靠近漏极一侧的栅极侧墙与所述漏极之间形成的介质层；覆盖所述靠近漏极一侧的栅极侧墙形成的与所述源极相连的场板，且在器件的沟道长度方向上，所述场板向所述绝缘介质层以及位于栅极之上的钝化层上延伸。