| 发明名称 | 通过直接转换半导体层来转换X射线辐射的方法和设备 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射（5）的方法，该半导体层具有上表面（6）和在半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7）。X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到半导体层（4）内，同时红外线辐射（3）平行于上表面（6）地穿过至少一个侧面边界面（7）透射半导体层（4）。在该方法中如下地设定红外线辐射（3）的强度轮廓（10、11）：使红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于半导体层（4）的厚度降低。借助上述方法和附属设备，通过直接转换半导体层实现了对X射线探测器调整的改善，这导致在X射线成像中更少的图像伪影。 | ||
| 申请公布号 | CN103207404A | 申请公布日期 | 2013.07.17 |
| 申请号 | CN201310015453.7 | 申请日期 | 2013.01.16 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | C.施罗特 |
| 分类号 | G01T1/24(2006.01)I;H01L31/115(2006.01)I | 主分类号 | G01T1/24(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人 | 谢强 |
| 主权项 | 一种用于通过直接转换半导体层（4）来转换X射线辐射的方法，该半导体层具有上表面（6）和在该半导体层（4）的厚度上延伸的侧面边界面（7），其中：‑所述X射线辐射（5）穿过上表面（6）入射到所述半导体层（4）内；‑同时，红外线辐射（3）穿过至少一个侧面边界面（7）平行于上表面（6）地透射该半导体层（4）；‑其中，如下地设定所述红外线辐射（3）的强度轮廓（10，11）：使该红外线辐射（3）的强度从上表面（6）开始关于所述半导体层（4）的厚度降低。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||