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Integrierte Schaltung, umfassend:–ein Halbleitersubstrat (10), und–eine Gate-Elektrodenstruktur auf dem Halbleitersubstrat, wobei die Gate-Elektrodenstruktur eine isolierende Schicht (14) aus dielektrischem Material auf dem Halbleitersubstrat (10); und eine Metallschicht (16) über der isolierenden Schicht (14) umfasst, wobei die Metallschicht (16) eine Verbindung aus Niob (Nb), Vanadium (V), Chrom (Cr), Wolfram (W) und/oder Molybdän (Mo) mit Kohlenstoff (C), Sauerstoff (O) und Stickstoff (N) enthält.
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