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Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauteils, aus einem Halbleitersubstrat (1) des ersten Leitfähigkeitstyps, das eine erste Hauptfläche und eine zweite Hauptfläche aufweist, mit den Verfahrensschritten der Bildung eines Grabens (26), dessen Querschnittsform V-förmig oder trapezförmig ist, in der ersten Hauptfläche des Halbleitersubstrats; der Einbringung einer Verunreinigung eines zweiten Leitfähigkeitstyps in die Seitenwände des Grabens; und der Aktivierung der Verunreinigung durch eine Laserbestrahlung; wobei die Seitenwände des Grabens so gebildet werden, daß sie einen Neigungswinkel (2) von maximal 70° zur zweiten Hauptfläche haben.
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