发明名称 |
单路隔离型MOSFET驱动电路 |
摘要 |
本发明实施例公开了一种单路隔离型MOSFET驱动电路,包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路;电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大,以驱动所述脉冲变压器工作;磁复位电路用于使得脉冲变压器可靠磁复位;加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断,其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管;电容的一端与脉冲变压器的副边同名端相连接,另一端连接第二电阻,第二电阻的另一端连接MOSFET管的栅极;第三电阻与所述电容并联;PNP型三极管的集电极与脉冲变压器的副边非同名端相连,基极与电容连接所述第二电阻的一端相连,发射极与MOSFET管的栅极相连。 |
申请公布号 |
CN103199677A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201310119686.1 |
申请日期 |
2013.04.08 |
申请人 |
乐金电子研发中心(上海)有限公司 |
发明人 |
王议锋;王成山;车延博;张轶强 |
分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
主分类号 |
H02M1/08(2006.01)I |
代理机构 |
北京三友知识产权代理有限公司 11127 |
代理人 |
任默闻 |
主权项 |
一种单路隔离型MOSFET驱动电路,其特征在于,包括电平变换及脉冲驱动电路、脉冲变压器、磁复位电路以及加速关断电路;其中,所述电平变换及脉冲驱动电路用于对输入的脉冲信号进行电平变换和功率放大,以驱动所述脉冲变压器工作;所述磁复位电路用于使得所述脉冲变压器可靠磁复位,其包括一二极管与第一电阻组成的串联回路,所述二极管的阴极连接所述脉冲变压器的副边同名端,阳极连接所述第一电阻;所述第一电阻另一端连接所述脉冲变压器的副边非同名端;所述加速关断电路用于加快所述MOSFET管的开通和关断,其包括一电容、第二电阻、第三电阻与一PNP型三极管;所述电容的一端与所述脉冲变压器的副边同名端相连接,另一端连接所述第二电阻,所述第二电阻的另一端连接所述MOSFET管的栅极;所述第三电阻与所述电容并联;所述PNP型三极管的集电极与所述脉冲变压器的副边非同名端相连,基极与所述电容连接所述第二电阻的一端相连,发射极与所述MOSFET管的栅极相连。 |
地址 |
201206 上海市浦东新区云桥路600号研发中心楼 |