发明名称 |
在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法 |
摘要 |
本发明公开了一种在体硅加工中用于功能结构Si和牺牲层的Si的隔离方法,包括步骤:①取SOI硅片,该SOI硅片从上到下依次为上硅层、氧化硅层和下硅层,在上硅层上根据需要制作器件部分,用于功能结构的Si利用深刻蚀技术加氧化技术,实现与牺牲层硅的隔离;②在下硅层的表面上淀积一层掩蔽层,并把不需要的掩蔽层蚀刻掉,露出下硅层,然后在该露出的下硅层表面开始进行硅的深刻蚀,直至刻蚀到氧化硅层为止;③将上述上硅层上多余的硅刻蚀掉;④将上述步骤②中露出的氧化硅层刻蚀掉。该方法可使功能结构硅被完全包围,腐蚀释放时利用两种材料的高选择比,实现了作为牺牲层的Si被完全腐蚀而作为结构层的Si被完全保留,工艺难度大大降低,尤其适合大陈列化的生产制作。 |
申请公布号 |
CN103193192A |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201210002678.4 |
申请日期 |
2012.01.06 |
申请人 |
昆山光微电子有限公司 |
发明人 |
刘瑞文;焦斌斌;孔延梅;李志刚;卢狄克;陈大鹏 |
分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
主分类号 |
B81C1/00(2006.01)I |
代理机构 |
昆山四方专利事务所 32212 |
代理人 |
盛建德 |
主权项 |
一种在体硅加工中用于功能结构S i和牺牲层的S i的隔离方法,其特征在于包括以下步骤:①取SOI硅片,该SOI硅片从上到下依次为上硅层(1)、氧化硅层(2)和下硅层(3),在所述上硅层上根据需要制作器件部分;②在下硅层的表面上淀积一层掩蔽层(4),并把不需要的掩蔽层蚀刻掉,露出下硅层,然后在该露出的下硅层表面开始进行硅的深刻蚀,直至刻蚀到氧化硅层为止;③将上述上硅层上多余的硅刻蚀掉;④将上述步骤②中露出的氧化硅层刻蚀掉。 |
地址 |
215325 江苏省苏州市昆山市周庄镇大桥路145号 |