| 发明名称 | 静电保护电路及其电池保护电路 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种静电保护电路及其电池保护电路，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，位于所述P型衬底和所述N阱上的栅氧层，位于所述栅氧层上的栅极，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区，第一P+有源区、第一N+有源区和栅极与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端。该静电保护器件耐压高，同时静电泄放能力较强。 | ||
| 申请公布号 | CN103199090A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201310109769.2 | 申请日期 | 2013.03.31 |
| 申请人 | 无锡中星微电子有限公司 | 发明人 | 王钊;尹航 |
| 分类号 | H01L27/02(2006.01)I;H02H7/18(2006.01)I;H02H9/04(2006.01)I | 主分类号 | H01L27/02(2006.01)I |
| 代理机构 | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人 | 戴薇 |
| 主权项 | 一种集成电路的静电保护电路，所述集成电路具有第一连接端和第二连接端，其特征在于，所述静电保护电路包括连接于第一连接端和第二连接端之间的静电保护器件，该静电保护器件包括P型衬底，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的N阱，位于所述P型衬底和所述N阱上的栅氧层，位于所述栅氧层上的栅极，沿所述P型衬底的上表面向下延伸至P型衬底中的第一P+有源区和第一N+有源区，沿所述N阱的上表面向下延伸至N阱中的第二P+有源区和第二N+有源区，其中，所述第一P+有源区和第一N+有源区相互间隔，且第一N+有源区紧邻所述栅氧层，所述第二P+有源区和第二N+有源区相互间隔，且所述第二P+有源区较第二N+有源区更接近所述栅氧层，N+有源区的N型掺杂浓度较N阱的N型掺杂浓度高，第一P+有源区、第一N+有源区和栅极与第二连接端相连，第二P+有源区和第二N+有源区与第一连接端。 | ||
| 地址 | 214028 江苏省无锡市新区太湖国际科技园清源路530大厦A区10层 | ||