InSb晶片与Si晶片键合的方法

摘要

本发明提供了一种InSb晶片与Si晶片键合的方法。该方法包括：步骤A，将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗，而后用去离子水清洗；步骤B，将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤C，将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗；步骤E，将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合，而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理，以完成InSb晶片和Si晶片的键合。本发明InSb晶片与Si晶片键合的方法工艺简单，具有较强的实用性。

主权项

一种InSb晶片与Si晶片键合的方法，其特征在于，包括： 步骤A，将至少单面抛光的InSb晶片和Si晶片在有机溶剂中分别进行高温超声煮洗，而后用去离子水清洗； 步骤B，将所述Si晶片置于酸溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗； 步骤C，将所述Si晶片置于碱溶液中煮洗，而后用去离子水冲洗； 步骤E，将InSb晶片和Si晶片各自的抛光面向内进行贴合，而后将贴合后的两晶片置于真空键合机内进行热处理，以完成InSb晶片和Si晶片的键合。