p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及制备方法

摘要

本发明属于半导体发光器件技术领域，涉及几种p-ZnO和n-GaN组合的多层端发射激光器及其制备方法。其芯片依次由衬底、n-GaN外延层、Ga2O3或n型AlGaN电流下限制层、p-ZnO基材料发光层、p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层、上电极构成，衬底是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层相同，衬底下面制备有下电极，由芯片解理的前、后端面构成前反射镜和后反射镜，器件在前反射镜和后反射镜出光。本发明制备了ZnO基激光器的可控谐振腔，可以降低激光器的阈值电流，提高器件输出功率，使激光的方向变好，进一步拓展了器件的应用范围。

主权项

一种p‑ZnO和n‑GaN组合的多层端面发射激光器，其芯片依次由衬底（1）、在衬底（1）上外延生长的n型GaN外延层（2）、在GaN外延层（2）上制备的Ga2O3电流下限制层（3）或n型AlGaN电流下限制层（3）、在电流下限制层（3）上制备的p型ZnO基材料发光层（4）、在ZnO基材料发光层（4）上面制备的p型宽带隙ZnO基三元系材料电流上限制层（7）、在电流上限制层（7）上制备的电极（6）构成，电流上限制层（7）的禁带宽度大于ZnO基发光层（4）的禁带宽度，其特征在于：衬底（1）是导电的GaAs晶体片、导电的InP晶体片、导电的SiC晶体片或导电的GaN晶体片，其导电类型和GaN外延层（2）的导电类型相同，同时在衬底（1）的下面制备有下电极（5）；由芯片解理的前、后端面构成前反射镜（8）和后反射镜（9），激光器在前反射镜（8）和后反射镜（9）出光。