发明名称 矿用变频器的插接式母排结构
摘要 本实用新型提供了一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其技术要点是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。解决了现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。
申请公布号 CN203056836U 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201320051739.6 申请日期 2013.01.30
申请人 沈阳辽通电气有限公司 发明人 徐明;范久斌;毕鑫;高岩伟
分类号 H02M1/00(2007.01)I 主分类号 H02M1/00(2007.01)I
代理机构 沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 代理人 杨滨
主权项 一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其特征是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。
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