发明名称 |
矿用变频器的插接式母排结构 |
摘要 |
本实用新型提供了一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其技术要点是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。解决了现有IGBT结构易导致杂散电感的产生、无法通过较大电流、安装复杂、使用寿命短、不利于维护等问题。 |
申请公布号 |
CN203056836U |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201320051739.6 |
申请日期 |
2013.01.30 |
申请人 |
沈阳辽通电气有限公司 |
发明人 |
徐明;范久斌;毕鑫;高岩伟 |
分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
主分类号 |
H02M1/00(2007.01)I |
代理机构 |
沈阳科威专利代理有限责任公司 21101 |
代理人 |
杨滨 |
主权项 |
一种矿用变频器的插接式母排结构,它包括若干IGBT模块以及压紧装置,其特征是:所述压紧装置依次由上压板,上绝缘板,IGBT上极板,IGBT下极板,下绝缘板,下压板组合而成;IGBT上极板与IGBT下极板上设有若干触点;IGBT上极板与IGBT下极板通过极板上的触点固定在IGBT模块的相应极点上;IGBT上极板上设有上绝缘板,上绝缘板上设有上压板;IGBT下极板下设有下绝缘板,下绝缘板下设有下压板;IGBT上极板与IGBT下极板之间形成插槽结构。 |
地址 |
110122 辽宁省沈阳市沈北新区蒲河路83-50号 |