一种石墨烯纳米带场效应晶体管

摘要

本实用新型的目的在于提供一种石墨烯纳米带场效应晶体管，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。本实用新型的开关电流比高达107，沟道电子的迁移率达到300cm2/Vs。

主权项

一种石墨烯纳米带场效应晶体管，其特征在于，包括衬底、沟道层、HfO2材质的底栅介质层、HfO2材质的顶栅介质层、源电极、漏电极和顶栅电极，所述沟道层为采用石墨烯纳米带制成的沟道层，所述顶栅介质层和底栅介质层分别位于沟道层的上方和下方，衬底位于底栅介质层的下方，源电极和漏电极分别位于沟道层的两端，顶栅电极位于顶栅介质层上，所述沟道层的宽度小于10nm。