发明名称 量测方法和设备、光刻系统和器件制造方法
摘要 本发明公开了用于测量通过光刻过程形成在衬底(W)上的目标结构(32-35)的方法。在所述目标内的光栅结构小于测量光学系统的视场和照射斑(31)。测量光学系统具有通向光瞳平面成像传感器(19)的第一分支和通向衬底平面成像传感器(23)的第二分支。空间光调制器(SLM)(24,124,224,324)被布置在光学系统的第二分支的中间光瞳平面中。SLM赋予可编程的衰减图案,其可以用于校正照射或成像的第一和第二模式之间的不对称性。通过使用特定的目标设计和机器学过程,衰减图案还可以被编程以用作过滤器功能,从而增强了对感兴趣的特定参数(诸如焦距)的敏感度。
申请公布号 CN103201682A 申请公布日期 2013.07.10
申请号 CN201180054351.5 申请日期 2011.11.10
申请人 ASML荷兰有限公司 发明人 H·斯米尔德;A·布里克尔;W·考恩;M·库比斯;P·沃纳尔
分类号 G03F7/20(2006.01)I;G01N21/956(2006.01)I 主分类号 G03F7/20(2006.01)I
代理机构 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人 吴敬莲
主权项 一种测量通过光刻过程形成在衬底上的周期性结构中的不对称性的方法,所述方法包括步骤:使用所述光刻过程以在所述衬底上形成周期性结构;第一测量步骤包括形成和检测所述周期性结构的第一图像,同时用第一辐射束照射所述周期性结构,所述第一图像使用衍射辐射的第一被选择部分形成;第二测量步骤包括形成和检测所述周期性结构的第二图像,同时用第二辐射束照射所述周期性结构,所述第二图像使用所述衍射辐射的第二被选择部分形成,所述第二被选择部分在所述周期性结构的衍射光谱中与所述第一被选择部分对称地相对;和使用来源于被检测的第一图像和第二图像两者的强度值的差来确定所述周期性结构的性质,其中,所述光学系统还包括空间光调制器,所述空间光调制器被控制以在分别形成所述第一图像和第二图像之前在所述衍射辐射的所述第一被选择部分和第二被选择部分上施加变化的非二元光学衰减。
地址 荷兰维德霍温