| 发明名称 | 一种NLDMOS器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种NLDMOS器件包括P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有场氧区，场氧层形成于P阱、N阱和场氧区的上方，场氧层上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧层和多晶硅层的两侧；其中，场氧区下方形成有P型埋层。本发明还公开了一种NLDMOS器件的制造方法。本发明的NLDMOS器件通过在进行P型源漏注入时，将N漂移区的部分区域打开，使P型源漏注入时部分注入较深的杂质注入到N漂移区下方形成一个P型埋层，使NLDMOS器件击穿电压由20伏特以下增加到30伏特以上。 | ||
| 申请公布号 | CN103199110A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210005120.1 | 申请日期 | 2012.01.09 |
| 申请人 | 上海华虹NEC电子有限公司 | 发明人 | 刘冬华;石晶;胡君;董金珠;韩峰;段文婷 |
| 分类号 | H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I;H01L21/336(2006.01)I | 主分类号 | H01L29/78(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人 | 丁纪铁 |
| 主权项 | 一种NLDMOS器件，包括P型衬底上部并列形成有P阱和N阱，P阱和N阱上部分别形成有N+区，N阱中N+区的旁侧形成有场氧区，场氧层形成于P阱、N阱和场氧区的上方，场氧层上方形成有多晶硅层，隔离侧墙形成于场氧层和多晶硅层的两侧；其特征是：场氧区下方形成有P型埋层。 | ||
| 地址 | 201206 上海市浦东新区川桥路1188号 | ||