| 发明名称 | 处理衬底的方法和衬底 | ||
| 摘要 | 处理化合物半导体衬底的方法，在该方法中，在真空条件下，从含In的III-As、III-Sb或III-P衬底的表面清除非晶态原生氧化物，随后将清洁过的衬底加热至大约250-550℃的温度并通过将氧气引入到该衬底的表面上将其氧化。本发明还涉及化合物半导体衬底以及该衬底在如MOSFET的晶体管结构中的用途。 | ||
| 申请公布号 | CN103201827A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201180054221.1 | 申请日期 | 2011.11.08 |
| 申请人 | 图尔库大学 | 发明人 | 佩卡·劳卡宁;约科·朗;马尔科·蓬基宁;马留卡·图奥米宁;韦科·图奥米宁;约翰尼·达尔;尤哈尼·韦于吕宁 |
| 分类号 | H01L21/316(2006.01)I;H01L21/02(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/316(2006.01)I |
| 代理机构 | 隆天国际知识产权代理有限公司 72003 | 代理人 | 吴小瑛;邹宗亮 |
| 主权项 | 一种在含In的III‑As、III‑Sb或III‑P化合物半导体衬底上制造结晶氧化物层的方法，其特征在于在真空条件下‑从含In的III‑As、III‑Sb或III‑P衬底的表面清除非晶态原生氧化物，且‑将清洁过的衬底加热至大约250‑550℃的温度并通过将氧气引入到所述衬底的表面上将其氧化。 | ||
| 地址 | 芬兰图尔库 | ||