具有钝化区段的半导体元件及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体元件及一种半导体工艺。该半导体元件包括一晶粒、一第一钝化层、一金属布线层及一第二钝化层。该第一钝化层位于该晶粒上，且具有数个第一区段。该等第一区段的其中之一具有一第一宽度。该金属布线层位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段。该等第二区段的其中之一具有一第二宽度。该第二钝化层位于该金属布线层上，且具有数个第三区段。该等第三区段的其中之一具有一第三宽度。该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度。藉此，可减少翘曲。

主权项

一种半导体元件，其特征在于，包括：一晶粒，具有一第一表面及一第二表面；一第一钝化层，位于该晶粒的第二表面，且具有数个第一区段，所述第一区段的其中之一具有一第一宽度；一金属布线层，位于该第一钝化层上，且具有数个第二区段，所述第二区段的其中之一具有一第二宽度；及一第二钝化层，位于该金属布线层上，且具有数个第三区段，所述第三区段的其中之一具有一第三宽度；其中所述第二区段位于所述第一区段及所述第三区段之间，且该第二宽度等于或小于该第一宽度及该第三宽度。