| 发明名称 | MEMS器件及其形成方法 | ||
| 摘要 | 微机电系统(MEMS)器件及其形成方法。该MEMS器件可以包括位于第一衬底上方的MEMS结构。该MEMS结构包括可移动元件。在第一衬底上方沉积第一导电材料并在第二衬底中蚀刻沟槽。用第二导电材料填充沟槽并在第二导电材料和第二衬底上方沉积第三导电材料。接合第一衬底和第二衬底并减薄第二衬底的背面，所述减薄暴露沟槽中的第二导电材料。 | ||
| 申请公布号 | CN103193193A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201210556596.4 | 申请日期 | 2012.12.20 |
| 申请人 | 台湾积体电路制造股份有限公司 | 发明人 | 梁凯智;朱家骅;李德浩;李久康;林宗贤 |
| 分类号 | B81C1/00(2006.01)I;B81C3/00(2006.01)I;B81B7/00(2006.01)I | 主分类号 | B81C1/00(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人 | 章社杲;孙征 |
| 主权项 | 一种形成微机电系统(MEMS)器件的方法，包括：在第一衬底上方形成MEMS结构，其中所述MEMS结构包括可移动元件；在所述第一衬底上方沉积第一导电材料；在第二衬底中蚀刻沟槽；用第二导电材料填充所述沟槽；在所述第二导电材料和所述第二衬底上方沉积第三导电材料；致密化所述第一衬底和所述第二衬底；接合所述MEMS结构和所述第二衬底，其中所述接合在所述第一导电材料和所述第三导电材料之间进行，并且所述接合在所述第一衬底和所述第二衬底之间形成真空室；以及减薄所述第二衬底的背面，其中所述减薄暴露所述沟槽中的第二导电材料。 | ||
| 地址 | 中国台湾新竹 | ||