发明名称 |
芯片封装方法 |
摘要 |
本发明提供了一种芯片封装方法,包括步骤:提供半封装晶圆,所述办封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫;采用选择性形成工艺在所述金属焊垫上形成球下金属电极;在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层,且所述保护层覆盖于所述切割道上;在所述球下金属电极上形成焊球;沿切割道对晶圆进行划片。本发明能够使得切割道内的金属在制作球下金属电极时不受到影响,且在切割后能够保护分立芯片的侧面,工艺流程简单,提高了封装效率以及成品率。 |
申请公布号 |
CN102034721B |
申请公布日期 |
2013.07.10 |
申请号 |
CN201010534406.X |
申请日期 |
2010.11.05 |
申请人 |
南通富士通微电子股份有限公司 |
发明人 |
石磊;陶玉娟;高国华;舜田直实;目黑弘一 |
分类号 |
H01L21/50(2006.01)I;H01L21/56(2006.01)I;H01L23/00(2006.01)I |
主分类号 |
H01L21/50(2006.01)I |
代理机构 |
北京集佳知识产权代理有限公司 11227 |
代理人 |
骆苏华 |
主权项 |
一种芯片封装方法,其特征在于,包括步骤:提供半封装晶圆,所述半封装晶圆上具有切割道以及芯片的金属焊垫;采用选择性形成工艺仅在所述金属焊垫上形成球下金属电极,所述选择性形成工艺包括:在晶圆表面形成掩模层或设置掩模板,所述掩模层或掩模板露出晶圆上需形成球下金属电极的位置;以所述掩模层或掩模板为掩模,在所述金属焊垫上形成球下金属电极;去除所述掩模层或移除所述掩模板;在晶圆上、球下金属电极以外区域形成保护层,且所述保护层覆盖于所述切割道上,所述保护层的材料为热固性环氧树脂;研磨晶圆表面,且采用等离子刻蚀去除覆于球下金属电极顶部表面的热固性环氧树脂;在所述球下金属电极上形成焊球;沿切割道对晶圆进行划片。 |
地址 |
226006 江苏省南通市崇川区崇川路288号 |