| 发明名称 | 硅氮化物磷光体用氮化硅粉末、利用该粉末的CaAlSiN<sub>3</sub>磷光体、利用该粉末的Sr<sub>2</sub>Si<sub>5</sub>N<sub>8</sub> 磷光体、利用该粉末的(Sr, Ca)AlSiN<sub>3</sub> 磷光体、利用该粉末的La<sub>3</sub>Si<sub>6</sub>N<sub>11</sub>磷光体和该磷光体的制造方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供了一种硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体具有高亮度，并可用于荧光显示管(VFD)、场发射显示器(FED)、等离子体显示板(PDP)、阴极射线管(CRT)和发光二极管(LED)等；还提供了各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。本发明涉及硅氮化物磷光体用氮化硅粉末，其特征在于，其是用作制造硅氮化物磷光体的初始材料的结晶性氮化硅粉末，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，并且其特征在于氧含量为0.2重量%～0.9重量%；本发明还涉及各自利用了所述氮化硅粉末的CaAlSiN3磷光体、Sr2Si5N8磷光体、(Sr,Ca)AlSiN3磷光体和La3Si6N11磷光体，以及这些磷光体的制造方法。 | ||
| 申请公布号 | CN103201213A | 申请公布日期 | 2013.07.10 |
| 申请号 | CN201180038289.0 | 申请日期 | 2011.07.29 |
| 申请人 | 宇部兴产株式会社 | 发明人 | 藤永昌孝;上田孝之;酒井拓马;治田慎辅 |
| 分类号 | C01B21/068(2006.01)I;A01N25/00(2006.01)I;A01N35/02(2006.01)I;A01N43/80(2006.01)I;A01N59/08(2006.01)I;A01P3/00(2006.01)I;A01P13/00(2006.01)I;C01B21/082(2006.01)I;C02F1/50(2006.01)I;C02F1/76(2006.01)I | 主分类号 | C01B21/068(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人 | 庞东成;解延雷 |
| 主权项 | 一种硅氮化物磷光体用结晶性氮化硅粉末，所述结晶性氮化硅粉末用作制造硅氮化物磷光体的原料，所述硅氮化物磷光体含有硅元素和氮元素作为构成元素，但不含有氧元素作为构成元素，所述氮化硅粉末的氧含量为0.2重量%～0.9重量%。 | ||
| 地址 | 日本山口县 | ||