| 摘要 |
Sposób otrzymywania monokrysztalu pólprzewodnikowego zawierajacego gal polega na tym, ze wsad zawierajacy srebro, gal, german, siarke przygotowuje sie w proporcjach zgodnie ze stosunkiem stechiometrycznym zwiazków w stopie, po czym wsad umieszcza sie w piecu, a nastepnie przetapia sie w temperaturze od 1220 do 1270 K, uzyskany stop chlodzi sie w czasie od 90 do 110 godzin tak aby na stopie powstal polikrysztal o wysokosci od 4 do 5 mm. Nastepnie uzyskany polikrysztal nadtapia sie na glebokosc 2 mm, po czym calosc schladza sie tak aby zainicjowac narastanie monokrysztalu na nadtopionym polikrysztale w tempie od 1,8 do 2,2 mm na dobe az do momentu krystalizacji calego stopu, z kolei uzyskany monokrysztal chlodzi sie do temperatury pokojowej z predkoscia od 50 do 70 K na dobe.
|
