金属氮氧化物薄膜晶体管的覆盖层

摘要

覆盖层可以沉积在TFT的主动通道上方，以保护主动通道免受污染。覆盖层可影响TFT的效能。若覆盖层含有过多的氢、氮或氧，则TFT的临界电压、次临界斜率及迁移率会受到负面的影响。通过控制含氮、含氧及含氢气体的流动速率的比例，则可使TFT效能最佳化。此外，亦可控制功率密度、覆盖层沉积压力及温度来使TFT效能最佳化。

主权项

一种薄膜晶体管制造方法，包括：在薄膜晶体管堆叠上方沉积半导体层，所述薄膜晶体管堆叠包括基板、栅极电极以及栅极介电层，所述半导体层包括氮氧化物，所述氮氧化物包含氮、氧及一或多个选自锌、铟、锡、镓、镉及上述元素的组合的元素；在所述半导体层上沉积传导层；蚀刻所述传导层以界定出源极电极与漏极电极，并暴露出在所述源极电极与所述漏极电极之间而界定为主动通道的所述半导体层的一部分；以及通过将N2O及SiH4气体流入工艺腔室内，以在所述暴露的半导体层上方沉积覆盖层，而N2O及SiH4的比例介于约20∶1～约40∶1之间。