发明名称 |
一种金属介电层及其制作方法以及一种电路板 |
摘要 |
本申请公开了一种金属介质层及其制作方法以及一种电路板,所述电路板的具体结构为:基板;至少一个焊盘,通过所述焊盘将至少一个电路元件连接于其他电路;所述焊盘包括:第一导电层和第二导电层;压线点,设置于所述第二导电层的上表面;金属介电层,位于所述第一导电层和所述第二导电层之间,其中,所述金属介电层包括:第一介电层,设置在所述第一导电层的上表面;第一旋涂玻璃层,设置在所述第一介电层的上表面,所述第一旋涂玻璃层为包括有砷的旋涂玻璃层;第二介电层,位于所述第一旋涂玻璃层的上表面。 |
申请公布号 |
CN103187384A |
申请公布日期 |
2013.07.03 |
申请号 |
CN201110452554.1 |
申请日期 |
2011.12.29 |
申请人 |
北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
发明人 |
陈建国;李天贺;贺冠中 |
分类号 |
H01L23/498(2006.01)I;H05K1/11(2006.01)I;H01L21/60(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/498(2006.01)I |
代理机构 |
北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 |
代理人 |
黄志华 |
主权项 |
一种电路板,其特征在于,包括:基板;至少一个焊盘,通过所述焊盘将至少一个电路元件连接于其他电路;所述焊盘包括:第一导电层和第二导电层;压线点,设置于所述第二导电层的上表面;金属介电层,位于所述第一导电层和所述第二导电层之间,其中,所述金属介电层包括:第一介电层,设置在所述第一导电层的上表面;第一旋涂玻璃层,设置在所述第一氧化硅层的上表面,所述第一旋涂玻璃层为包括有砷的旋涂玻璃层;第二介电层,位于所述第一旋涂玻璃层的上表面。 |
地址 |
100871 北京市海淀区成府路298号方正大厦9层 |