发明名称 提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法
摘要 本发明提供一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置和方法,所述装置包括腔体;晶圆放置台,固定于所述腔体中,所述晶圆放置台用于放置晶圆;转动轴,垂直连接所述晶圆放置台和所述晶圆之间,所述转动轴能够带动晶圆水平转动;刻蚀源供应装置,设置于所述腔体中晶圆正上方。所述方法通过在刻蚀阶段、或稳定阶段、或者同时在刻蚀阶段和稳定阶段启动所述转动轴带动所述晶圆水平转动,从而提高了刻蚀CD均匀度。
申请公布号 CN103187242A 申请公布日期 2013.07.03
申请号 CN201110458036.0 申请日期 2011.12.31
申请人 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 发明人 王新鹏
分类号 H01L21/02(2006.01)I;H01J37/32(2006.01)I 主分类号 H01L21/02(2006.01)I
代理机构 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人 屈蘅;李时云
主权项 一种提高晶圆的刻蚀CD均匀度的装置,包括:腔体;晶圆放置台,设置于所述腔体中,所述晶圆放置台用于放置晶圆;转动轴,与所述晶圆放置台连接,用于带动晶圆转动;刻蚀源供应装置,设置于所述腔体中并位于所述晶圆上方。
地址 201203 上海市浦东新区张江路18号