活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离

摘要

提供一种在硅层中刻蚀特征的方法。在该硅层上方形成硬掩模层。在该硬掩模层上方形成光刻胶层。打开该硬掩模层。剥离该光刻胶层，通过提供剥离气体；通过提供高频RF能量和低频RF能量用该剥离气体形成等离子体，其中该低频RF能量的功率小于50瓦；以及当剥离该光刻胶层后，停止该剥离气体。该打开该硬掩模层和该剥离该光刻胶层是在同一个室中执行的。

主权项

一种用在硅层中刻蚀特征的方法制造的半导体器件,包括:在该硅层上方形成硬掩模层，其中该硬掩模层是以硅为基底的，其中该形成硬掩模层包含：在该硅层上方形成第一层，其中该第一层是Si3N4；以及在该第一层上方形成第二层，其中该第二层是SiO2；在该硬掩模层上方形成光刻胶层；打开该硬掩模层；以及剥离该光刻胶层，包含提供剥离气体；通过提供频率大于或等于27MHz的高频RF能量和频率小于20MHz的低频RF能量用该剥离气体形成等离子体，其中该低频RF能量的功率小于50瓦；以及当剥离该光刻胶层后，停止该剥离气体。