| 发明名称 | 多次外延生长方法 | ||
| 摘要 | 本发明涉及一种多次外延生长方法，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在衬底上沉积一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面的边缘区域上涂覆一圈光刻胶，由所述光刻胶围成第一窗口；刻蚀第一窗口内的二氧化硅层，暴露出衬底表面，在二氧化硅层中形成第二窗口；去除光刻胶；在第二窗口内的衬底上依次进行多次外延生长。本发明采用二氧化硅作为半导体衬底轮廓倒角处的保护层，利用选择性外延不在二氧化硅上生长特性，从而在每次外延生长中不需要重新制作保护层，简化工艺，同时衬底轮廓倒角的保护层的形成仅采用光刻胶涂覆边缘区域，刻蚀形成衬底轮廓倒角的保护层，省去掩膜版的使用，从而降低生产成本。 | ||
| 申请公布号 | CN103187250A | 申请公布日期 | 2013.07.03 |
| 申请号 | CN201110457595.X | 申请日期 | 2011.12.31 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（上海）有限公司 | 发明人 | 吴琼;乔春羽;王刚宁;周立超;叶逸舟 |
| 分类号 | H01L21/205(2006.01)I;C30B25/14(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/205(2006.01)I |
| 代理机构 | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人 | 屈蘅;李时云 |
| 主权项 | 一种外延生长方法，其特征在于，包括以下步骤：提供一半导体衬底；在衬底上沉积一层二氧化硅层；在所述二氧化硅层表面的边缘区域上涂覆一圈光刻胶，由所述光刻胶围成第一窗口；刻蚀第一窗口内的二氧化硅层，暴露出衬底表面，在二氧化硅层中形成第二窗口；去除光刻胶；在第二窗口内的衬底上依次进行多次外延生长。 | ||
| 地址 | 201203 上海市浦东新区张江路18号 | ||