发明名称 |
Halbleitermodul |
摘要 |
Bereitgestellt ist ein Halbleitermodul, das eine hohe Einschaltstromtoleranz aufweist. Ein Halbleitermodul 10 beinhaltet ein Schaltelement 11, das aus einem Halbleiter mit einer großen Bandlücke gebildet ist, und eine Freilaufdiode 12, die antiparallel mit dem Schaltelement 11 verbunden ist, wobei die Freilaufdiode 12 aus Silizium besteht und eine negative Temperaturcharakteristik aufweist.
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申请公布号 |
DE102012220164(A1) |
申请公布日期 |
2013.06.27 |
申请号 |
DE201210220164 |
申请日期 |
2012.11.06 |
申请人 |
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION |
发明人 |
YONEYAMA, REI;OKABE, HIROYUKI;INOUE, TAKAHIRO;SAKAI, SHINJI |
分类号 |
H01L25/18;H01L29/12;H01L29/68;H01L29/861 |
主分类号 |
H01L25/18 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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