发明名称 Halbleitermodul
摘要 Bereitgestellt ist ein Halbleitermodul, das eine hohe Einschaltstromtoleranz aufweist. Ein Halbleitermodul 10 beinhaltet ein Schaltelement 11, das aus einem Halbleiter mit einer großen Bandlücke gebildet ist, und eine Freilaufdiode 12, die antiparallel mit dem Schaltelement 11 verbunden ist, wobei die Freilaufdiode 12 aus Silizium besteht und eine negative Temperaturcharakteristik aufweist.
申请公布号 DE102012220164(A1) 申请公布日期 2013.06.27
申请号 DE201210220164 申请日期 2012.11.06
申请人 MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION 发明人 YONEYAMA, REI;OKABE, HIROYUKI;INOUE, TAKAHIRO;SAKAI, SHINJI
分类号 H01L25/18;H01L29/12;H01L29/68;H01L29/861 主分类号 H01L25/18
代理机构 代理人
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