发明名称 |
反熔丝及反熔丝的制造方法 |
摘要 |
一种制造反熔丝的方法,包括提供具有位线扩散区域和电容器扩散区域的衬底。在衬底之上形成栅极电介质层,并且在栅极电介质层上形成字线。在独立于形成栅极电介质层处理步骤的处理步骤中,在电容器扩散区域上形成氧化物层。选择线接触插塞形成在氧化物层之上并与其接触以形成将氧化物层作为其电容器电介质层的电容器。选择线接触插塞被配置用于施加电压,以引起氧化物层的永久击穿,从而对反熔丝进行编程。 |
申请公布号 |
CN102054817B |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201010283424.5 |
申请日期 |
2010.09.16 |
申请人 |
台湾积体电路制造股份有限公司;国立清华大学 |
发明人 |
池育德;林崇荣 |
分类号 |
H01L23/525(2006.01)I;H01L21/768(2006.01)I |
主分类号 |
H01L23/525(2006.01)I |
代理机构 |
北京德恒律师事务所 11306 |
代理人 |
陆鑫;熊须远 |
主权项 |
一种反熔丝,包括:衬底,具有位线扩散区域和电容器扩散区域;栅极电介质层,在所述衬底之上;字线,在所述栅极电介质层上;氧化物层,在所述电容器扩散区域上,选择线接触插塞的底部和所述电容器扩散区域的表面之间的距离为所述栅极电介质层的厚度的2.5倍至7.5倍;以及选择线接触插塞,在所述氧化物层之上并与其接触,以形成将所述氧化物层作为其电容器电介质层的电容器,所述选择线接触插塞被配置成用于施加电压以引起所述氧化物层的永久击穿,从而对所述反熔丝进行编程。 |
地址 |
中国台湾新竹 |