发明名称 存储装置
摘要 本发明提供一种充分地发挥了SLC型闪存和MLC型闪存这两者的优点的存储装置。存储装置包括:二值闪存,具有第一存储区域,每单个单元可以存储2种值;多值闪存,具有第二存储区域,每单个单元可以存储3种以上的值;以及控制部,在将第一存储区域配置于开头的区域的同时逻辑结合第一存储区域和第二存储区域,并作为为单一的存储区域的结合区域而进行数据的读写。根据预定的文件系统而在存储区域的开头存储数据的管理信息。
申请公布号 CN101853694B 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201010154231.X 申请日期 2008.05.13
申请人 巴法络股份有限公司 发明人 荒川忠史
分类号 G06F12/10(2006.01)I;G11C7/10(2006.01)I 主分类号 G06F12/10(2006.01)I
代理机构 北京东方亿思知识产权代理有限责任公司 11258 代理人 柳春雷;南霆
主权项 一种存储装置,包括:二值闪存单元,具有第一存储区域,每单个单元可以存储2种值;多值闪存单元,具有第二存储区域,每单个单元可以存储3种以上的值;接口,该接口与主机装置相连;以及控制部,将所述第一存储区域和所述第二存储区域逻辑结合后作为结合区域进行数据的读写,所述结合区域为单一的存储区域;所述控制部包括:地址转换部,当从所述主机装置接收到伴有对所述结合区域内的地址的指定的命令时,将所述被指定的地址转换为所述第一存储区域或所述第二存储区域内的地址;选择部,根据所述被指定的地址,从所述二值闪存单元和所述多值闪存单元中选择所述命令的传送目的地的存储器单元;以及传送部,在将所述被转换的地址发送给所述二值闪存单元和所述多值闪存单元双方之后,将所述命令传送给所述被选择的存储器单元。
地址 日本爱知县