一种基于镍钯金镀层的金线键合互连方法

摘要

本发明公开了一种基于镍钯金镀层的金线键合互连方法，通过对材料的梯度结构设计提出了Ni/Pd/Au键合基层结构，然后采用金丝键合的办法实现大规模/超大规模集成电路高可靠互连。在不影响电路原有电性能的基础上，通过改变键合点上的基层结构，将使用金丝键合的异质键合转变为同质键合，避免了金属间化合物的生长，使产品通过300℃、24hrs贮存后键合强度均能达到3.0g以上，产品的可靠性得到显著提高，芯片PAD焊接界面寿命延长至2-3倍。

主权项

一种基于镍钯金镀层的金线键合互连方法，其特征在于，包括以下步骤：1）采用酸洗的方式，清洗晶圆的键合点上表面的污染物；2）用碱性微蚀法去掉键合点表面层的氧化物和污染物；3）用锌活化工艺，在键合点表面层上制作出锌保护层；4）使用硝酸去除锌保护层表面不平整的锌层，然后进行二次锌活化；5）使用去离子水清洗后在锌保护层上进行化学镀镍，控制镀镍层厚度为3μm～5μm；6）使用去离子水清洗后在镀镍层上进行化学镀钯，控制镀钯层厚度为0.2μm～0.5μm；7）使用去离子水清洗后在镀钯层上进行化学镀金，控制镀金层厚度为0.2μm～0.5μm；镀金完成后清洗、吹干；8）将晶圆切割成单个芯片，将单个芯片装片到封装外壳上，通过金丝键合将芯片键合点与封装外壳键合点连接。