外延型快速恢复二极管及其制备方法

摘要

本发明提供一种外延型快速恢复二极管（FRED）及其制备方法，属于功率器件技术领域。该FRED的用于形成PN结的阳极区的P型半导体掺杂层包括第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域，所述第一P型半导体区域、第二P型半导体区域和第三P型半导体区域的掺杂浓度依次递增。在其制备方法过程中，通过三次掺杂步骤分别形成第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域，从而实现P型半导体掺杂层的掺杂浓度的重新分布。该FRED的抗雪崩能力强，反向击穿特性相对较“软”，尤其适合于串联地应用或者用作IGBT的续流二极管。

主权项

一种外延型快速恢复二极管，包括分别用于形成PN结的阴极区和阳极区的N型半导体掺杂层和P型半导体掺杂层，其特征在于，所述P型半导体掺杂层中从PN结的界面处向所述阳极区表面依次邻接地设置第一P型半导体区域、第二P型半导体区域以及第三P型半导体区域；其中，所述第一P型半导体区域的掺杂浓度低于所述第二P型半导体区域的掺杂浓度，所述第二P型半导体区域的掺杂浓度低于所述第三P型半导体区域的掺杂浓度。