| 发明名称 | 半导体存储器件及其操作方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种半导体存储器件及其操作方法，所述半导体存储器件包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储块，其中，存储块中的每个具有页，并且每个页包括存储器单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成将存储器单元编程到目标编程状态。这里，所述外围电路通过施加逐步增加第一增量值的编程电压而将存储器单元编程为临时编程状态，然后通过施加逐步增加第二增量值的编程电压而将存储器单元编程到目标编程状态。 | ||
| 申请公布号 | CN103177765A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201210459963.9 | 申请日期 | 2012.11.15 |
| 申请人 | 爱思开海力士有限公司 | 发明人 | 金道映 |
| 分类号 | G11C16/34(2006.01)I;G11C16/06(2006.01)I | 主分类号 | G11C16/34(2006.01)I |
| 代理机构 | 北京弘权知识产权代理事务所(普通合伙) 11363 | 代理人 | 周晓雨;俞波 |
| 主权项 | 一种半导体存储器件，包括：存储器单元阵列，所述存储器单元阵列被配置成包括多个存储块，其中，所述存储块中的每个具有页，每个页包括存储器单元；以及外围电路，所述外围电路被配置成将所述存储器单元编程到目标编程状态，其中，所述外围电路通过施加逐步增加第一增量值的编程电压而将所述存储器单元编程到临时编程状态，然后通过施加逐步增加第二增量值的编程电压而将所述存储器单元编程到所述目标编程状态。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||