发明名称 一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法
摘要 本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异,具有良好的导电性和透光性,可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。
申请公布号 CN103177800A 申请公布日期 2013.06.26
申请号 CN201110436883.7 申请日期 2011.12.22
申请人 上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 发明人 毛启明;姜来新;何丹农
分类号 H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I 主分类号 H01B5/14(2006.01)I
代理机构 上海东方易知识产权事务所 31121 代理人 唐莉莎
主权项 一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。
地址 200241 上海市闵行区江川东路28号