发明名称 |
一种高透过率透明导电薄膜及其制备方法 |
摘要 |
本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。本发明公开了一种高透过率透明导电薄膜的制备方法。本发明采用磁控溅射方法沉积的薄膜性能优异,具有良好的导电性和透光性,可广泛用于触摸屏液晶显示屏、电致发光显示、太阳能电池、晶体管等光电技术领域。 |
申请公布号 |
CN103177800A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201110436883.7 |
申请日期 |
2011.12.22 |
申请人 |
上海纳米技术及应用国家工程研究中心有限公司 |
发明人 |
毛启明;姜来新;何丹农 |
分类号 |
H01B5/14(2006.01)I;C23C14/35(2006.01)I |
主分类号 |
H01B5/14(2006.01)I |
代理机构 |
上海东方易知识产权事务所 31121 |
代理人 |
唐莉莎 |
主权项 |
一种高透过率透明导电薄膜,其特征在于,所述透明导电薄膜的模系为二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅,或二氧化硅/二氧化锡/氧化锌/二氧化硅/基底材料/二氧化硅的多层膜结构,主体材料为金属二氧化锡与氧化锌和锡与锌,其中,锡与锌元素两者在二氧化锡/氧化锌复合层中的质量百分含量为75.9%~83.5%,锡与锌元素的质量比为45~51∶55~49,薄膜的厚度为5nm~250nm。 |
地址 |
200241 上海市闵行区江川东路28号 |