发明名称 |
非易失性存储装置及其制造方法 |
摘要 |
本发明涉及非易失性存储装置及其制造方法。根据一个实施方式,本发明的非易失性存储装置具备第1电极、第2电极、设在第1电极与第2电极之间的存储单元。存储单元具有保持部、电阻变化部、离子供给部。保持部设在第1电极上且具有电子阱。电阻变化部设在保持部上。离子供给部设在电阻变化部与第2电极之间且含有金属元素。 |
申请公布号 |
CN103178067A |
申请公布日期 |
2013.06.26 |
申请号 |
CN201210557218.8 |
申请日期 |
2012.12.20 |
申请人 |
株式会社东芝 |
发明人 |
薮原秀彦;广谷太志;片冈淳司;龟冈恒志 |
分类号 |
H01L27/115(2006.01)I;H01L21/8247(2006.01)I |
主分类号 |
H01L27/115(2006.01)I |
代理机构 |
永新专利商标代理有限公司 72002 |
代理人 |
陈建全 |
主权项 |
一种非易失性存储装置,其是具备第1电极、第2电极、以及设在所述第1电极与所述第2电极之间的存储单元的非易失性存储装置,所述存储单元具有:设在所述第1电极上且具有电子阱的保持部;设在所述保持部上的电阻变化部;以及设在所述电阻变化部与所述第2电极之间且含有金属元素的离子供给部。 |
地址 |
日本东京都 |