| 发明名称 | 基于ART结构的硅基沟槽内生长GaAs材料的NMOS器件 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种制备NMOS器件的方法和相应的NMOS器件，所述包括：步骤S1、选择<100>向<111>方向偏离6°～10°的硅衬底，并在此硅衬底上生长SiO2层；步骤S2、刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个高宽比大于2的沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3、在100～150mBar的生长压力下，采用MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长势垒层、缓冲层和顶层；步骤S4、在顶层上制作源极、漏极和栅极。本发明使界面处的失配位错和反相畴边界截止在SiO2壁上，有效约束了异质结界面缺陷的延伸，并能提高外延层的质量，使得作为NMOS的衬底时得到良好的器件质量。 | ||
| 申请公布号 | CN103177971A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201310060711.3 | 申请日期 | 2013.02.27 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 李梦珂;周旭亮;于红艳;李士颜;米俊萍;潘教青 |
| 分类号 | H01L21/336(2006.01)I;H01L29/78(2006.01)I;H01L29/06(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/336(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 宋焰琴 |
| 主权项 | 一种制备NMOS器件的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤S1：选择<100>向<111>方向偏离6°～10°的硅衬底，并在此硅衬底上生长SiO2层；步骤S2：刻蚀所述SiO2层，以在该SiO2层上形成多个高宽比大于2的沟槽，并使沟槽底部露出所述硅衬底；步骤S3：在100～150mBar的生长压力下，采用MOCVD工艺在所述沟槽内依次生长势垒层、缓冲层和顶层；步骤S4：在顶层上制作源极、漏极和栅极。 | ||
| 地址 | 100083 北京市海淀区清华东路甲35号 | ||