用于场复位自旋矩MRAM的结构和操作方法

摘要

对自旋矩磁电阻存储器阵列编程，所述自旋矩磁电阻存储器阵列包括导电复位线，所述导电复位线设置得接近多个磁电阻比特中的每一个并被配置来将所述多个磁电阻存储器元件设置到具有与该磁电阻比特的膜平面垂直的磁化的已知状态。所述导电复位线被设置为使得在预定的幅度、持续时间和方向的电流流过所述第一导电复位线时以与所述膜平面垂直的主要分量施加所述磁场。可以设置另一导电复位线，其中所述磁场生成在两个导电复位线之间。可以在所述导电复位线或多个所述导电复位线的一部分周围设置磁导性铁磁材料，以通过将磁导性铁磁材料的边缘设置在所述膜平面的相反侧上使所述磁场汇集在期望的方向上。

主权项

一种自旋矩磁电阻存储器，包括：多个磁电阻存储器元件，其由多个层形成，所述多个层限定膜平面；第一导电复位线，设置得与所述多个磁电阻存储器元件中的每一个相邻，并且被配置来通过在预定幅度、持续时间和方向的电流流过所述第一导电复位线时产生具有与所述膜平面垂直的主要分量的磁场，将所述多个磁电阻存储器元件设置到具有与所述膜平面垂直的磁化的已知磁性状态；第一磁导性铁磁材料，设置在所述第一导电复位线的至少一个侧面上，并且其至少一个边缘设置得与所述膜平面平行并且在所述膜平面外；位线，耦接到所述多个磁电阻存储器元件；以及耦接到所述位线的电路，所述电路被配置来通过所述位线施加自旋矩转变电流到所述多个磁电阻存储器元件中的选定的磁电阻存储器元件。