| 发明名称 | 用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种用于处理晶圆的反应装置、静电吸盘和晶圆温度控制方法，涉及半导体工艺技术领域。该静电吸盘包括用于支撑晶圆的绝缘层；和能够安装于所述绝缘层的第一表面上方的光束源。光束源的光束的方向和输出功率可调整。与流体冷却系统配合，通过控制光束源的方向和输出功率来调节被吸附在ESC上面的晶圆的温度，从而能够更好地调整温度的不一致性，可以大大提高晶圆温度一致性，特别是改善非径向温度不一致性。 | ||
| 申请公布号 | CN103177997A | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201110434746.X | 申请日期 | 2011.12.22 |
| 申请人 | 中芯国际集成电路制造（北京）有限公司 | 发明人 | 何其旸;张翼英 |
| 分类号 | H01L21/683(2006.01)I;H01L21/67(2006.01)I | 主分类号 | H01L21/683(2006.01)I |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人 | 孙宝海 |
| 主权项 | 一种用于吸引晶圆的静电吸盘(ESC)，其特征在于，包括：绝缘层，所述绝缘层具有支撑晶圆的第一表面；和能够安装于所述绝缘层的第一表面上方的光束源。 | ||
| 地址 | 100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 | ||