发光二极管阵列及其形成方法

摘要

本发明有关于一种发光二极管阵列及其形成方法。该阵列包含一具有一第一电极的第一发光二极管，以及一具有一第二电极的第二发光二极管。第二发光二极管与第一发光二极管彼此分离。一第一介电层位于第一发光二极管与第二发光二极管之间。一互连线至少部分地位于第一介电层之上，而将第一电极连接至第二电极。一第二介电层形成于第一介电层及互连线之上。一反射层形成于第二介电层之上。一永久基板耦接至该反射层。

主权项

一种发光二极管阵列，其特征在于，包括：一第一发光二极管，包括一第一电极；一第二发光二极管，包括一第二电极，其中该第二发光二极管与该第一发光二极管分离；一第一介电层，位于该第一发光二极管与该第二发光二极管之间；一互连线，至少部分地位于该第一介电层之上，该互连线将该第一电极连接至该第二电极；一第二介电层，形成于该第一介电层及该互连线之上；一反射层，形成于该第二介电层之上；以及一永久基板，耦接至该反射层。