| 发明名称 | CVD装置 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种能够在不导致生产成本的高昂、装置的大型化的情况下飞跃性地提高基座的品质和生产性的CVD装置。在该CVD装置中，在碳质基材(10)的一部分形成有凹状的掩模部(10a)，在将掩模夹具(7)嵌入该掩模部(10a)的状态下向内部导入气体，由此在除了由掩模夹具(7)覆盖的部位以外的碳质基材(10)的表面形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，通过将所述掩模夹具(7)固定于覆膜形成用夹具(2)，从而由覆膜形成用夹具(2)支承所述碳质基材(10)，并且，所述碳质基材(10)的主面相对于铅垂轴(9)的角度为2°。 | ||
| 申请公布号 | CN102264944B | 申请公布日期 | 2013.06.26 |
| 申请号 | CN201080003789.6 | 申请日期 | 2010.01.29 |
| 申请人 | 东洋炭素株式会社 | 发明人 | 吉本义明 |
| 分类号 | C23C16/458(2006.01)I;H01L21/205(2006.01)I | 主分类号 | C23C16/458(2006.01)I |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人 | 张宝荣 |
| 主权项 | 一种CVD装置，在板状的碳质基材的一部分形成有凹状的掩模部，在将掩模夹具嵌入该掩模部的状态下向内部导入气体，由此在除了由掩模夹具覆盖的部位以外的碳质基材的表面上形成SiC覆膜，所述CVD装置的特征在于，通过将所述掩模夹具固定于覆膜形成用夹具，从而由覆膜形成用夹具支承所述碳质基材，并且使所述碳质基材的主面相对于铅垂轴的向上角度为1.0°以上且4.0°以下。 | ||
| 地址 | 日本国大阪府 | ||